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二战后,日本半导体产业经历了从晶体管到集成电路的发展轨迹,经过在20世纪70、80年代的努力,半导体技术水平超过此前一直处于世界引领地位的美国。为了打压日本,美国采取强力的压制措施,结果引发了由其主导的激烈的日美半导体贸易摩擦。经过两次"日美半导体协议"的签署,20世纪90年代美国获得了"日美半导体战争"的全面胜利,尽管如此,日本的半导体产业并没有被彻底摧毁,依然在世界市场中占有相当份额。半导体贸易摩擦,是日美间一系列贸易摩擦和高技术摩擦中最引人注目的一环。日美半导体贸易摩擦其实质是美国对后发国家高技术发展的限制,双方的措施、谈判交涉及最后结果,都对中国有重要的启示。
Abstract：After the Second World War, the Japanese semiconductor industry experienced a development track from transistors to integrated circuits. After efforts in the 1970s and 1980s, the level of semiconductor technology surpassed that of the United States, which has been the world leader. In order to suppress Japan, the United States adopted strong repressive measures, which led to the fierce trade friction between Japan and the United States. After two " the JapanUnited States Semiconductor Agreement" signed, the United States won the "Japan-US Semiconductor War" in the 1990s. However, the Japanese semiconductor industry has not been completely destroyed, still occupying a considerable share of the world market.Semiconductor trade friction is the most striking part of a series of trade frictions and hightech friction between Japan and the United States. The essence of Japan-US semiconductor trade friction is that the United States has restrictions on the development of high-tech in the late-developing countries; the measures of both sides and the final results of negotiations involve important implications for China.
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(1)晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,在很多场合“晶体管”一词多指晶体三极管,但一般而言晶体管泛指各种以锗、硅等半导体材料为基础的单一元件,包括晶体二极管、晶体三极管、场效应管、可控硅等。
(1)例如号称“电子罐头”的导弹就是晶体管的重要“用户”,一枚“大力神”导弹需要3000个晶体三极管,12000个晶体二极管,加上地面控制装置,总共需要几万个半导体元件。(参见中国社会科学院日本研究所《日本经济的活力》课题组编:《日本经济的活力》,北京:航空工业出版社,1988年版,第270页)
(1)硅平面技术就是利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离,然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需要互连成完整电路,制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路,平面工艺技术也随之得到发展。例如,扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外,还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜,以及多层互连结构等工艺。
(2)集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的电子元件的数目,集成度越高,所容纳的元件数目越多。
(1)例如在发展鍺晶体管方面进行得很顺的东芝公司生产的汽车收音机用的晶体管方面竟占到号称“车轮子上国家”美国的车用晶体管市场的一半以上。
(2)早期的计算机最常见的存储器是各种磁芯制成的。这种磁芯存储器已被半导体存储器所取代。
(3)动态随机存储器即DRAM是可以自由地读(出)写(入)的半导体存储器,用作为“记忆元件”,是计算机不可缺少的电子元器件。
(4)当时,日本著名的手表企业精工舍为开发石英电子表,委托英特尔公司制作高级计算器用的LSI,英特尔建议精工舍采用正在研制的8008,精工舍接受了这个建议并派人参加了8008的开发。参见久野英雄:「とのことがわかる本」,东京:实业出版社,1984年版,第134页。
(1)卡特尔(cartel)由一系列生产类似产品的独立企业所构成的组织,是包括垄断联盟、企业联合、同业联盟等在内的垄断组织形式之一,其目的是提高该类产品价格和控制其产量,以便垄断市场,获取高额利润,通过在商品价格、产量和销售等方面订立协定而形成同盟。参加这一同盟的成员在生产、商业和法律上仍然保持独立性。根据美国反托拉斯法,卡特尔属于非法。
(1)PLD是可编程逻辑器件(Programable Logic Device)的简称,FPGA是现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array)的简称,两者的功能基本相同,只是实现原理略有不同,所以人们有时忽略两者的区别,统称为可编程逻辑器件或PLD/FPGA。
(2)在“代工”(Foundry)模式出现之前,集成电路大企业多采用与“集成制造模式”(IDM),从电路设计、芯片制造工艺到封装测试都由本企业完成,代工模式出现后,集成电路产业分化为两大模式,即“集成制造模式”(IDM)和“代工”(Foundry)模式。
(1)目前我国内还不具备300毫米硅片的生产能力,一直依赖进口,国内的总需求约为45万片/月,预估到2020年我国300毫米硅晶圆月需求量为80-100万片。
(1)“301条款”是美国《1974年贸易法》第301条的俗称,一般而言,“301条款”是美国贸易法中有关对外国立法或行政上违反协定、损害美国利益的行为采取单边行动的立法授权条款,该条款是美国政府针对损害美国贸易利益和商业利益的外国政府的行为、政策和做法进行调查、报复和制裁的手段,其本质是美国强权政治和单边主义做法在外贸领域的体现,利用贸易政策推行其价值观念的一种手段,即通过强化美国对外贸易协定的实施,扩大美国海外市场,迫使其他国家接受美国的国际贸易准则,以维护美国的利益。
(2)1985年9月22日,美国、日本、联邦德国、法国以及英国的财政部长和中央银行行长在纽约广场饭店举行会议,达成五国政府联合干预外汇市场,诱导美元对主要货币的汇率有秩序地贬值,以解决美国巨额贸易赤字问题的协议。因协议在广场饭店签署,故该协议又被称为“广场协议”。“广场协议”签订后,上述五国开始联合干预外汇市场,在国际外汇市场大量抛售美元,导致美元持续大幅度贬值。美元兑日元汇率从1985年9月的1美元兑250日元下降到1987年的1美元兑120日元。在不到三年的时间里,日元对美元升值了一倍。
(1)参见「日本経済新聞」,1985年5月25日。
(2)战后日本的半导体技术发展在一定程度上就是靠“偷”,例如在被占领期偷看占领军当局办公室的有关晶体管发明的文件,在20 世纪60年代初参观美国集成电路工厂时顺手牵羊偷出一两块样品拿回国内进行解剖,使用反向工程方法对原产品进行仿制等。
基本信息:
DOI：10.16496/j.cnki.rbyj.2018.03.002
中图分类号:F416.63;F742
引用信息:
[1]冯昭奎.日本半导体产业发展与日美半导体贸易摩擦[J].日本研究,2018,No.166(03):22-34.DOI:10.16496/j.cnki.rbyj.2018.03.002.